СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ЭЛЛИПСОМЕТРЫ

Эллипсометрия - это методика, основанная на измерении изменения поляризации излучения после его взаимодействия с поверхностью исследуемого образца. В отличие от рефлектометров, параметры спектроскопической эллипсометрии Psi и Del всегда измеряются при углах падения света, отличных от нормального. Изменяя угол падения света, можно получить обширный набор данных, позволяюший провести более прецизионное моделирование, снизить неоднозначность результатов и получить более точные результаты. Таким образом, эллипсометрия с переменным углом падения света является намного более мощной методикой, чем эллипсометрия с фиксированным углом падения. Угол падения можно изменять как вручную, так и автоматически. Мы поставляем модели от Angstrom Sun Technologies, Inc. с обоими опциями: ручная установка угла падения излучения с шагом 5о перемещением рукоятки вдоль прецизионной щели (ручной гониометр, Модель SExxxBM, недорогая версия), и моторизованный гониометр с разрешением 0.01о (Модели SExxxBA). Гониометры функционируют в вертикальной плоскости, так что образец располагается горизонтально, что облегчает работу с ним.При достоверном и достаточном наборе исходных данных моделирование позволяет определить много параметров пленки и покрытия: толщину, оптические константы (показатель преломления N, коэффициент экстинкции K), границы фаз, пористость и даже состав. Для этого абсолютно необходимо продвинутое программное обеспечение. Поставляемое ПО версии TFProbe 3.X сочетает в себе возможности запуска и настройки прибора, симуляции, измерений, анализа, управления данными и 2D/3D графического представления результатов.

Для некоторых применений, например, MEMS или полупроводниковые подложки, желательно очень малое световое пятно и предпочтительно использовать микроспектрофотометр. Он может быть интегрирован с эллипсометром. Для эттих целей предназначены модели SExxxBA-MSP и SExxxBM-MSP. Микроспектрофотометр работает в режиме измерения отражения при нормальном угле падения излучения.

В SE серии SE200BM - наиболее популярная модель, как и SE200BM-Solar, предназначенный для фотовольтаических применений.Эти приборы покрывают диапазон длин волн от 250 нм (DUV) до 1100 нм (NIR) с ручным гониометром, изменяющим угол падения излучения с шагом 5о. Это мощные инструменты с относительно низкой стоимостью по сравнению с эллипсометром с автоматическим гониометром (SE200BA). Детектор на основе линейки приемников обеспечивает быстрые, в течение секунд, измерения. Когда требуется картографирование в реальном времени in situ - это лучший выбор из SE серии. Если необходимо, диапазон длин волн может быть сдвинут до 190 нм (SE200BM) или до 1700 нм (SE200BM-Solar) для анализа, например, пленок CdTe, CIGS. В этой системе используется комбинированный источник излучения, работающий в DUV и в Vis - NIR диапазонах спектра, так что пользователь может выбрать любой из них или оба. В SE200BM-Solar может быть установлена дуговая ксеноновая лампа.

На фото справа показаны модель SE200BM с 300 мм моторизованным рабочим столом для картографирования и модель SE200BM-Solar с моторизованным столом 156 х 156 мм.

В этой системе используется комбинированный источник излучения, работающий в DUV и в Vis - NIR диапазонах спектра, так что пользователь может выбрать любой из них или оба.

SE300BM - относительно недорогая модель, работающая в диаразоне длин волн от 400 до 1100 нм (Vis - NIR) с ручным гониометром, меняющим угол падения излучения с шагом 5о. На фото справа показана модель с моторизованным столом диаметром 300 мм.

SE500BA - наиболее продвинутая модель спектроскопических эллипсометров. Она покрывает диапазон длин волн от 250 (DUV) до 1700 нм (NIR) и имеет автоматический гониометр, изменяющий угол падения излучения от 20о до 90о с разрешением 0.01о. Аналогично вышеописанным устройствам, детектор на основе линейки приемников обеспечивает быстрые, в течение секунд, измерения. Когда требуется картографирование в реальном времени in situ - это тоже один из лучших выборов из SE серии. Если необходимо, диапазон длин волн может быть сдвинут до 190 нм для, например, некоторых полупроводниковых применений.

На фото справа показаны модель SE500BA со 100 х 100 мм моторизованным рабочим столом для картографирования с дополнительным вращением стола и моторизованным перемещением по вертикали.

Доступны и другиe опции. Мы также можем поставить модель, соответствующую Вашим конкретным специальным требованиям.

Вы можете запросить дистанционную онлайн демонстрацию приборов.

Примечания:

- Конфигурация прибора и его спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления;
- Приборы могут быть изготовлены по отдельному заказу для конкретных специальных применений;
- TFProbe - зарегестрированная торговая марка Angstrom Sun Technologies Inc.




Эллипсометр SE200BA-M300
  • Легкий запуск;
  • Легкое управление с помощью программного обеспечения, работающего в ОС Windows;
  • Передовая оптика для наилучшего качества системы;
  • Автоматическое изменение угла падения с разрешением 0.01о;
  • Высокомощный источник DUV-Vis излучения для широкодиапазонных применений;
  • Линейка приемников для обеспечения быстроты измерений;
  • Измеряет толщину пленки и показатель преломления в сложных многослойных структурах;
  • Может быть использован для мониторинга толщин и показателей преломления в реальном времени или in-line;
  • Прибор поставляется с обширной базой данных оптических констант и библиотекой материалов;
  • Продвинутое программное обеспечение TFProbe 3.3 позволяет использовать для каждой отдельной пленки или таблицы nk, или дисперсионные данные, или приближение эффективной среды (ЕМА)
  • Три уровня управления: инженерный режим, режим обслуживания и упрощенный режим;
  • Гибкий инженерный режим для различных установок и тестирования оптической модели;
  • Turn-key - надежное решение для быстрых и рутинных измерений;
  • Конфигурируемые параметры измерений, легкость управления;
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы;
  • Прецизионная подстройка границы раздела фаз в образце непосредственно по сигналу от образца; нет необходимости в дополнительной оптике;
  • Прецизионная подстройка образца по высоте и наклону;
  • Применим к различным типам подложек различной толщины;
  • Различные дополнительные приспособления для специальных конфигураций, такие как стол для картографирования, расширение диапазона длин волн, фокусировка пятна, и др.;
  • Вывод результатов в виде 2D и 3D графики, дружественный пользовательский интерфейс.
  • Модель: SE200BAM300;
  • Приемник: линейка, покрывающая глубокий ультрафиолетовый диапазон (DUV);
  • Источник света: высокомощный комбинированный DUV-Vis-NIR источник;
  • Изменение угла падения излучения: автоматическое с программируемыми установками;
  • Предметный стол: автоматическое картографирование в системе координат Rho-Theta;
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3;
  • Компьютер: процессор Intel Duo Core с широкоэкранным 19" LCD монитором;
  • Питание: 110-240 В/50-60 Гц, 6 А;
  • Гарантия: 1 год на труд и компоненты.
  • Диапазон длин волн излучения: 250 - 1100 нм;
  • Разрешение по длине волны:1 нм;
  • Размер светового пятна на образце: переменный от 1 до 5 мм;
  • Диапазон углов падения: от 10о до 90о;
  • Разрешение изменения углов падения: 0.01о;
  • Размер образца: до диаметра 300 мм;
  • Толщина подложки образца: до 20 мм;
  • Диапазон измеряемых толщин пленок*: от 0 нм до 30 µм;
  • Время измерений: около 1 с на установку;
  • Точность* лучше чем 0.25%;
  • Воспроизводимость*: лучше 1 Å (1 σ из 50 измерений термически окисленного слоя SiO2 толщиной 1200 Å на подложке Si);

* - зависит от свойств пленки, качества поверхности и числа слоев.

  • Фотометрические измерения отражения и/или пропускания;
  • Микропятно для анализа малых участков поверхности;
  • X-Y стол для картографирования (режим X-Y взамен Rho-Theta);
  • Предметный стол с нагревом или охлаждением образца;
  • Гониометр для вертикального расположения образца;
  • Расширение диапазона длин волн в DUV или IR диапазонах;
  • Установка сканирующего монохроматора (эллипсометр Модель серии SE200AA);
  • Комбинация с микроспектрофотометром MSP для анализа структурированных образцов с функцией цифровой обработки изображения.
  • Производство полупроводников (PR, оксиды, нитриды);
  • Жидкокристаллические дисплеи;
  • Криминалистика, биологические пленки и материалы;
  • Исследование красителей, пигментов, минералогические исследования;
  • Фармацевтика, медицинское оборудование;
  • Оптические покрытия, TiO2, SiO2, Ta2O5...;
  • Полупроводниковые соединения;
  • Функциональные пленки для MEMS/MOEMS;
  • Аморфный, нано- и кристаллический кремний.
  • Фотовольтаические тонкие пленки, CdTe, CdS, CIGS, AZO, CZTS....
ЭЛЛИПСОМЕТР С ПЕРЕМЕННЫМ УГЛОМ ПАДЕНИЯ ИЗМЕРЯЕТ МНОГОСЛОЙНОЕ ПОКРЫТИЕ

Образец 11-слойного плюс один поверхностный шероховатый слой (всего 12 слоев) покрытия на подложке из стекла ВК7 был успешно исследован с помощью эллипсометра SE200BA. Исходные данные были автоматически записаны при трех различных углах падения излучения 65о, 70о, и 75о. Все толщины слоев и их оптические константы (показатель преломления и коэффициент экстинкции) были получены подстройкой измеренных параметров. Этот пример показывает преимущества метода с переменным углом падения для анализа сложных многослойных структур.



Слой Материал Толщина, нм Неопределенность
Верхний слой Шероховатость 6.75 ±2.89
Слой 1 Al2O3 259.94 ±1.65
Слой 2 Ta2O5 261.07 ±1.39
Слой 3 Al2O3 260.38 ±1.63
Слой 4 Ta2O5 258.03 ±1.53
Слой 5 Al2O3 261.32 ±1.55
Слой 6 Ta2O5 254.85 ±1.54
Слой 7 Al2O3 266.45 ±1.61
Слой 8 Ta2O5 257.97 ±1.74
Слой 9 Al2O3 266.51 ±1.92
Слой 10 Ta2O5 284.49 ±1.88
Слой 11 Al2O3 528.56 ±5.39

ПОДСТРОЙКА ГРАФИКОВ ДЛЯ ТРЕХ РАЗЛИЧНЫХ УГЛОВ ПАДЕНИЯ (ЭЛЛИПСОМЕТР SE200BA)

1. Угол падения 65о. Синие кривые - исходные данные, красные кривые - данные модели.

Подстройка данных эллипсометрии для 12-слойного покрытия
2. Угол падения 70о. Синие кривые - исходные данные, красные кривые - данные модели.


Подстройка данных эллипсометрии для 12-слойного покрытия
3. Угол падения 75о. Синие кривые - исходные данные, красные кривые - данные модели.


Подстройка данных эллипсометрии для 12-слойного покрытия
Измеренные оптические константы Ta2O5 в 12-слойной структуре


Оптические константы Ta2O5 в 12-слойном покрытии
Измеренные оптические константы Al2O3 в 12-слойной структуре


Оптические константы Al2O3 в 12-слойном покрытии

Эллипсометр SE200BA-MSP
  • Легкое управление с помощью программного обеспечения, работающего в ОС Windows;
  • Передовая оптика для наилучшего качества системы;
  • Автоматическое изменение угла падения с разрешением 0.01о;
  • Высокомощный источник DUV-Vis излучения для широкодиапазонных применений;
  • Линейка приемников для обеспечения быстроты измерений;
  • Измеряет толщину пленки и показатель преломления в сложных многослойных структурах до 12 слоев;
  • Может быть использован для мониторинга толщин и показателей преломления в реальном времени или in-line;
  • Прибор поставляется с обширной базой данных оптических констант и библиотекой материалов;
  • Продвинутое программное обеспечение TFProbe 3.3.Х позволяет использовать для каждой отдельной пленки или таблицы nk, или дисперсионные данные, или приближение эффективной среды (ЕМА)
  • Три уровня управления: инженерный режим, режим обслуживания и упрощенный режим;
  • Гибкий инженерный режим для различных установок и тестирования оптической модели;
  • Turn-key - надежное решение для быстрых и рутинных измерений;
  • Конфигурируемые параметры измерений, легкость управления;
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы;
  • Прецизионная подстройка границы раздела фаз в образце непосредственно по сигналу от образца; нет необходимости в дополнительной оптике;
  • Прецизионная подстройка образца по высоте и наклону;
  • Применим к различным типам подложек различной толщины;
  • Различные дополнительные приспособления для специальных конфигураций, такие как стол для картографирования, расширение диапазона длин волн, фокусировка пятна, и др.;
  • Вывод результатов в виде 2D и 3D графики, дружественный пользовательский интерфейс;
  • Инструмент Digital Imaging для области Micron;
  • Интегрированный рефлектометр для измерения отражения в малых участках поверхности.
  • Модель: SE200BA-MSP300;
  • Детектор: линейка приемников;
  • Источник света: высокомощный комбинированный DUV-Vis-NIR источник для эллипсометра и высокомощный источник видимого света для микроспектрофотометра;
  • Изменение угла падения излучения: автоматическое с программируемыми установками;
  • Предметный стол: автоматическое картографирование в системе координат Rho-Theta;
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3.Х;
  • Комбинированный эллипсометр и микроспектрофотометр;
  • Компьютер: процессор Intel Duo Core с широкоэкранным 19" LCD монитором;
  • Питание: 110-240 В/50-60 Гц, 6 А;
  • Гарантия: 1 год на труд и компоненты.
  • Диапазон длин волн излучения: 250 - 1000 нм для эллипсометра и 400-850 нм для микроспектрофотометра;
  • Разрешение по длине волны:1 нм;
  • Размер светового пятна на образце: переменный от 1 до 5 мм для эллипсометра;
  • Диапазон углов падения: от 10о до 90о;
  • Разрешение изменения углов падения: 0.01о;
  • Цифровое изображение: 1.3 Мп;
  • Эффективное увеличение: 1200х;
  • Объектив с большим рабочим расстоянием (12 мм);
  • Размер пятна микроспектрофотометра: регулируемый в диапазоне 10 - 500 µм;
  • Размер образца: до диаметра 300 мм;
  • Толщина подложки образца: до 20 мм;
  • Диапазон измеряемых толщин пленок*: от 0 нм до 10 µм;
  • Время измерений: около 1 с на установку;
  • Точность* лучше чем 0.25%;
  • Воспроизводимость*: лучше 1 Å (1 σ из 50 измерений термически окисленного слоя SiO2 толщиной 1200 Å на подложке Si);

* - зависит от свойств пленки, качества поверхности и числа слоев.

  • Фотометрические измерения отражения при угле падения излучения отличном от нормального;
  • Модуль измерения пропускания;
  • Цифровая камера высокого разрешения;
  • Объектив для микроспектрофотометра с увеличенным рабочим расстоянием;
  • X-Y стол для картографирования (режим X-Y взамен Rho-Theta);
  • Предметный стол с нагревом или охлаждением образца;
  • Гониометр для вертикального расположения образца;
  • Расширение диапазона длин волн в DUV или IR диапазонах;
  • Установка сканирующего монохроматора (эллипсометр Модель серии SE200AA);
  • Производство полупроводников (PR, оксиды, нитриды);
  • Жидкокристаллические дисплеи;
  • Криминалистика, биологические пленки и материалы;
  • Исследование красителей, пигментов, минералогические исследования;
  • Фармацевтика, медицинское оборудование;
  • Оптические покрытия, TiO2, SiO2, Ta2O5...;
  • Полупроводниковые соединения;
  • Функциональные пленки для MEMS/MOEMS;
  • Аморфный, нано- и кристаллический кремний.

Эллипсометр SE200BM-M300
  • Легко устанавливается;
  • Легкое управление с помощью программного обеспечения, работающего в ОС Windows;
  • Передовая оптика для наилучшего качества системы;
  • Высокомощный источник DUV-Vis излучения для широкодиапазонных применений;
  • Линейка приемников для обеспечения быстроты измерений;
  • Измеряет толщину пленки и показатель преломления в сложных многослойных структурах до 12 слоев;
  • Может быть использован для мониторинга толщин и показателей преломления в реальном времени или in-line;
  • Прибор поставляется с обширной базой данных оптических констант и библиотекой материалов;
  • Продвинутое программное обеспечение TFProbe 3.3.Х позволяет использовать для каждой отдельной пленки или таблицы nk, или дисперсионные данные, или приближение эффективной среды (ЕМА)
  • Три уровня управления: инженерный режим, режим обслуживания и упрощенный режим;
  • Гибкий инженерный режим для различных установок и тестирования оптической модели;
  • Turn-key - надежное решение для быстрых и рутинных измерений;
  • Конфигурируемые параметры измерений, легкость управления;
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы;
  • Прецизионная подстройка границы раздела фаз в образце непосредственно по сигналу от образца; нет необходимости в дополнительной оптике;
  • Прецизионная подстройка образца по высоте и наклону;
  • Применим к различным типам подложек различной толщины;
  • Различные дополнительные приспособления для специальных конфигураций, такие как стол для картографирования, расширение диапазона длин волн, фокусировка пятна, и др.;
  • Вывод результатов в виде 2D и 3D графики, дружественный пользовательский интерфейс.
  • Модель: SE200BM-M300;
  • Детектор: линейка приемников;
  • Источник света: высокомощный комбинированный DUV-Vis-NIR источник;
  • Изменение угла падения излучения: ручное;
  • Предметный стол: автоматическое картографирование в системе координат Rho-Theta;
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3.Х;
  • Компьютер: процессор Intel Duo Core 2.0 Ггц с широкоэкранным 19" LCD монитором;
  • Питание: 110-240 В/50-60 Гц, 6 А;
  • Гарантия: 1 год на труд и компоненты.
  • Диапазон длин волн излучения: 250 - 1100 нм;
  • Разрешение по длине волны:1 нм;
  • Размер светового пятна на образце: переменный от 1 до 5 мм;
  • Диапазон углов падения: от 0о до 90о;
  • Разрешение изменения углов падения: шаг 5о;
  • Размер образца: до диаметра 300 мм;
  • Толщина подложки образца: до 20 мм;
  • Диапазон измеряемых толщин пленок*: от 0 нм до 10 µм;
  • Время измерений: около 1 с на установку;
  • Точность* лучше чем 0.25%;
  • Воспроизводимость*: лучше 1 Å (1 σ из 50 измерений термически окисленного слоя SiO2 толщиной 1200 Å на подложке Si).

* - зависит от свойств пленки, качества поверхности и числа слоев.

  • Фотометрические измерения отражения и/или пропускания;
  • Микропятно для анализа малых участков поверхности;
  • Автоматический гониометр для изменения угла падения излучения;
  • X-Y стол для картографирования (режим X-Y взамен Rho-Theta);
  • Предметный стол с нагревом или охлаждением образца;
  • Гониометр для вертикального расположения образца;
  • Расширение диапазона длин волн в DUV или IR диапазонах;
  • Установка сканирующего монохроматора;
  • Комбинация с микроспектрофотометром MSP для анализа структурированных образцов с функцией цифровой обработки изображения.
  • Производство полупроводников (PR, оксиды, нитриды);
  • Жидкокристаллические дисплеи;
  • Криминалистика, биологические пленки и материалы;
  • Исследование красителей, пигментов, минералогические исследования;
  • Фармацевтика, медицинское оборудование;
  • Оптические покрытия, TiO2, SiO2, Ta2O5...;
  • Полупроводниковые соединения;
  • Функциональные пленки для MEMS/MOEMS;
  • Аморфный, нано- и кристаллический кремний.
  • Различные ТСО пленки (ITO, FTO, IZO, AZO...).

Эллипсометр SE200BM-M450
  • Легкое управление с помощью программного обеспечения, работающего в ОС Windows;
  • Передовая оптика для наилучшего качества системы;
  • Специальное устройство загрузки/разгрузки подложек обеспечивает их сохранность;
  • Высокомощный источник DUV-Vis излучения для широкодиапазонных применений;
  • Линейка приемников для обеспечения быстроты измерений;
  • Измеряет толщину пленки и показатель преломления в сложных многослойных структурах до 12 слоев;
  • Может быть использован для мониторинга толщин и показателей преломления в реальном времени или in-line;
  • Прибор поставляется с обширной базой данных оптических констант и библиотекой материалов;
  • Продвинутое программное обеспечение TFProbe 3.3.Х позволяет использовать для каждой отдельной пленки или таблицы nk, или дисперсионные данные, или приближение эффективной среды (ЕМА)
  • Три уровня управления: инженерный режим, режим обслуживания и упрощенный режим;
  • Гибкий инженерный режим для различных установок и тестирования оптической модели;
  • Turn-key - надежное решение для быстрых и рутинных измерений;
  • Конфигурируемые параметры измерений, легкость управления;
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы;
  • Прецизионная подстройка границы раздела фаз в образце непосредственно по сигналу от образца; нет необходимости в дополнительной оптике;
  • Прецизионная подстройка образца по высоте и наклону;
  • Подходит для работы с 300 мм подложками;
  • Различные дополнительные приспособления для специальных конфигураций, такие как стол для картографирования, расширение диапазона длин волн, фокусировка пятна, и др.;
  • Вывод результатов в виде 2D и 3D графики, дружественный пользовательский интерфейс.
  • Модель: SE200BM-M450;
  • Детектор: линейка приемников;
  • Источник света: высокомощный комбинированный DUV-Vis-NIR источник;
  • Изменение угла падения излучения: установлен на 70о, но может регулироваться вручную;
  • Предметный стол: автоматический 450 мм стол для картографирования в системе координат Rho-Theta;
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3.Х;
  • Компьютер: процессор Intel Duo Core 2.0 Ггц с широкоэкранным 22" LCD монитором;
  • Питание: 110-240 В/50-60 Гц, 6 А;
  • Гарантия: 1 год на труд и компоненты.
  • Диапазон длин волн излучения: 250 - 850 нм;
  • Разрешение по длине волны:1 нм;
  • Размер светового пятна на образце: переменный от 1 до 5 мм;
  • Исключается 1.5 мм от края;
  • Диапазон углов падения: от 0о до 90о (предустановлен на 70о);
  • Разрешение изменения углов падения: шаг 5о;
  • Размер образца: до диаметра 450 мм;
  • Толщина подложки образца: до 2 мм;
  • Диапазон измеряемых толщин пленок*: от 0 нм до 20 µм;
  • Время измерений: около 1 с на установку;
  • Точность* лучше чем 0.25%;
  • Воспроизводимость*: лучше 1 Å (1 σ из 50 измерений термически окисленного слоя SiO2 толщиной 1200 Å на подложке Si).

* - зависит от свойств пленки, качества поверхности и числа слоев.

  • Фотометрические измерения отражения;
  • Микропятно для анализа малых участков поверхности;
  • X-Y стол для картографирования (режим X-Y взамен Rho-Theta);
  • Расширение диапазона длин волн в DUV (до 190 нм) или IR (до 1700 нм) диапазонах;
  • Комбинация с микроспектрофотометром MSP для анализа структурированных образцов с функцией цифровой обработки изображения.
  • Диэлектрики (оксиды, нитриды);
  • Фоторезисты;
  • Металлы, TiN, W, TaN;
  • Полупроводники: aSi, Poly, SiGe...;
  • Различные углеродные пленки.

Эллипсометр SE200BM-Solar
  • Легкое управление с помощью программного обеспечения, работающего в ОС Windows;
  • Передовая оптика для наилучшего качества системы;
  • Высокомощный источник DUV-Vis излучения или ксеноновая дуговая лампа для широкодиапазонных применений;
  • Линейка приемников для обеспечения быстроты измерений;
  • Измеряет толщину пленки и показатель преломления в сложных многослойных структурах до 12 слоев;
  • Может быть использован для мониторинга толщин и показателей преломления в реальном времени или in-line;
  • Прибор поставляется с обширной базой данных оптических констант и библиотекой материалов;
  • Продвинутое программное обеспечение TFProbe 3.3.Х позволяет использовать для каждой отдельной пленки или таблицы nk, или дисперсионные данные, или приближение эффективной среды (ЕМА)
  • Три уровня управления: инженерный режим, режим обслуживания и упрощенный режим;
  • Гибкий инженерный режим для различных установок и тестирования оптической модели;
  • Turn-key - надежное решение для быстрых и рутинных измерений;
  • Конфигурируемые параметры измерений, легкость управления;
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы;
  • Прецизионная подстройка границы раздела фаз в образце непосредственно по сигналу от образца; нет необходимости в дополнительной оптике;
  • Прецизионная подстройка образца по высоте и наклону;
  • Применим к различным типам подложек различной толщины;
  • Различные дополнительные приспособления для специальных конфигураций, такие как стол для картографирования, расширение диапазона длин волн, фокусировка пятна, и др.;
  • Вывод результатов в виде 2D и 3D графики, дружественный пользовательский интерфейс.
  • Модель: SE200BM-SR-Solar;
  • Детектор: линейка приемников;
  • Источник света: высокомощный комбинированный DUV-Vis-NIR источник или ксеноновая дуговая лампа;
  • Изменение угла падения излучения: ручное;
  • Предметный стол: автоматическое картографирование в системе координат X-Y;
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3.Х;
  • Компьютер: процессор Intel Duo Core 2.0 Ггц с широкоэкранным 19" LCD монитором;
  • Питание: 110-240 В/50-60 Гц, 6 А;
  • Гарантия: 1 год на труд и компоненты.
  • Диапазон длин волн излучения: 250 - 1100 нм;
  • Разрешение по длине волны:1 нм;
  • Размер светового пятна на образце: переменный от 1 до 5 мм;
  • Диапазон углов падения: от 0о до 90о;
  • Разрешение изменения углов падения: шаг 5о;
  • Размер образца: до 160 х 160 мм;
  • Толщина подложки образца: до 20 мм;
  • Диапазон измеряемых толщин пленок*: от 0 нм до 20 µм;
  • Время измерений: около 1 с на установку;
  • Точность* лучше чем 0.25%;
  • Воспроизводимость*: лучше 1 Å (1 σ из 50 измерений термически окисленного слоя SiO2 толщиной 1200 Å на подложке Si).

* - зависит от свойств пленки, качества поверхности и числа слоев.

  • Фотометрические измерения пропускания;
  • Микропятно для анализа малых участков поверхности;
  • Автоматический гониометр для изменения угла падения излучения;
  • Предметный стол с нагревом или охлаждением образца;
  • Расширение диапазона длин волн в DUV или IR диапазонах;
  • Установка сканирующего монохроматора;
  • Комбинация с микроспектрофотометром MSP для анализа структурированных образцов с функцией цифровой обработки изображения.
  • Приспособление для наклона на 45о для работы с текстурированным моно Si.
  • Просветляющие покрытия, SiNx, SiOx...;
  • CdTe, CIGS, CdS, Mo....;
  • Аморфный, нано- и кристаллический кремний.
  • Различные ТСО пленки (ITO, FTO, IZO, AZO...).

Эллипсометр SE300BM
  • Легкий запуск;
  • Легкое управление с помощью программного обеспечения, работающего в ОС Windows;
  • Передовая оптика для наилучшего качества системы;
  • Автоматическое изменение угла падения с разрешением 0.01о;
  • Регулируемый источник Vis - NIR излучения для широкодиапазонных применений;
  • Линейка приемников для обеспечения быстроты измерений;
  • Измеряет толщину пленки и показатель преломления в сложных многослойных структура до 12 слоев;
  • Может быть использован для мониторинга толщин и показателей преломления в реальном времени или in-line;
  • Прибор поставляется с обширной базой данных оптических констант и библиотекой материалов;
  • Продвинутое программное обеспечение TFProbe 3.3 позволяет использовать для каждой отдельной пленки или таблицы nk, или дисперсионные данные, или приближение эффективной среды (ЕМА)
  • Три уровня управления: инженерный режим, режим обслуживания и упрощенный режим;
  • Гибкий инженерный режим для различных установок и тестирования оптической модели;
  • Turn-key - надежное решение для быстрых и рутинных измерений;
  • Конфигурируемые параметры измерений, легкость управления;
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы;
  • Прецизионная подстройка границы раздела фаз в образце непосредственно по сигналу от образца; нет необходимости в дополнительной оптике;
  • Прецизионная подстройка образца по высоте и наклону;
  • Применим к различным типам подложек различной толщины;
  • Различные дополнительные приспособления для специальных конфигураций, такие как стол для картографирования, расширение диапазона длин волн, фокусировка пятна, и др.;
  • Вывод результатов в виде 2D и 3D графики, дружественный пользовательский интерфейс.
  • Модель: SE300BM;
  • Детектор: линейка приемников;
  • Источник света: Vis-NIR источник с регулируемой интенсивностью;
  • Изменение угла падения излучения: ручное;
  • Предметный стол: черный анодированный алюминий с держателем образцов до 200 мм или до 150 х 150 мм;
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3;
  • Компьютер: процессор Intel Duo Core с широкоэкранным 19" LCD монитором;
  • Питание: 110-240 В/50-60 Гц, 6 А;
  • Гарантия: 1 год на труд и компоненты.
  • Диапазон длин волн излучения: 400 - 1100 нм;
  • Разрешение по длине волны:1 нм;
  • Размер светового пятна на образце: переменный от 1 до 5 мм;
  • Диапазон углов падения: от 0о до 90о;
  • Разрешение изменения углов падения: шаг 5о;
  • Размер образца: до диаметра 200 мм или до квадрата 150 х 150 мм;
  • Толщина подложки образца: до 20 мм
  • Диапазон измеряемых толщин пленок*: от 5 нм до 30 µм;
  • Время измерений: около 1 с на установку;
  • Точность* лучше чем 0.25%;
  • Воспроизводимость*: лучше 1 Å (1 σ из 50 измерений термически окисленного слоя SiO2 толщиной 1200 Å на подложке Si).

* - зависит от свойств пленки, качества поверхности и числа слоев.

  • Фотометрические измерения отражения и/или пропускания;
  • Микропятно для анализа малых участков поверхности;
  • Автоматический гониометр для изменения угла падения излучения;
  • Картографирующий стол (в координатах X-Y или Rho-Theta);
  • Предметный стол с нагревом или охлаждением образца;
  • Гониометр для вертикального расположения образца;
  • Расширение диапазона длин волн в DUV или IR диапазонах;
  • Установка сканирующего монохроматора;
  • Комбинация с микроспектрофотометром MSP для анализа структурированных образцов с функцией цифровой обработки изображения.
  • Производство полупроводников (PR, оксиды, нитриды);
  • Жидкокристаллические дисплеи;
  • Криминалистика, биологические пленки и материалы;
  • Исследование красителей, пигментов, минералогические исследования;
  • Фармацевтика, медицинское оборудование;
  • Оптические покрытия, TiO2, SiO2, Ta2O5...;
  • Полупроводниковые соединения;
  • Функциональные пленки для MEMS/MOEMS;
  • Аморфный, нано- и кристаллический кремний.
  • Различные ТСО пленки (ITO, FTO, IZO, AZO...).

Эллипсометр SE500BA
  • Легкое управление с помощью программного обеспечения, работающего в ОС Windows;
  • Передовая оптика для наилучшего качества системы;
  • Высокомощный источник DUV-Vis-NIR излучения для широкодиапазонных применений;
  • Линейка приемников для обеспечения быстроты измерений;
  • Измеряет толщину пленки и показатель преломления в сложных многослойных структурах до 12 слоев;
  • Может быть использован для мониторинга толщин и показателей преломления в реальном времени или in-line;
  • Прибор поставляется с обширной базой данных оптических констант и библиотекой материалов;
  • Продвинутое программное обеспечение TFProbe 3.3.Х позволяет использовать для каждой отдельной пленки или таблицы nk, или дисперсионные данные, или приближение эффективной среды (ЕМА)
  • Три уровня управления: инженерный режим, режим обслуживания и упрощенный режим;
  • Гибкий инженерный режим для различных установок и тестирования оптической модели;
  • Turn-key - надежное решение для быстрых и рутинных измерений;
  • Конфигурируемые параметры измерений, легкость управления;
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы;
  • Прецизионная подстройка границы раздела фаз в образце непосредственно по сигналу от образца; нет необходимости в дополнительной оптике;
  • Прецизионная подстройка образца по высоте и наклону;
  • Применим к различным типам подложек различной толщины;
  • Различные дополнительные приспособления для специальных конфигураций, такие как стол для картографирования, расширение диапазона длин волн, фокусировка пятна, и др.;
  • Вывод результатов в виде 2D и 3D графики, дружественный пользовательский интерфейс.
  • Модель: SE500BA-MX100Y100;
  • Детектор: линейка приемников (CCD + InGaAs);
  • Источник света: Высокомощный DUV-Vis-NIR источник с регулируемой интенсивностью;
  • Изменение угла падения излучения: автоматическое;
  • Предметный стол: автоматическое картографирование в координатах X-Y;
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3.Х;
  • Компьютер: процессор Intel Duo Core 2.0 Ггц с широкоэкранным 19" LCD монитором;
  • Питание: 110-240 В/50-60 Гц, 6 А;
  • Гарантия: 1 год на труд и компоненты.
  • Диапазон длин волн излучения: 250 - 1700 нм;
  • Разрешение по длине волны: 1 нм в DUV, 3 нм в Vis, и 6 нм в NIR;
  • Размер светового пятна на образце: переменный от 1 до 5 мм;
  • Диапазон углов падения: от 20о до 90о;
  • Разрешение изменения углов падения: автоматическое изменение, разрешение 0.01о;
  • Размер образца: до 100 х 100 мм;
  • Толщина подложки образца: до 10 мм
  • Диапазон измеряемых толщин пленок*: от 0 нм до 30 µм;
  • Время измерений: около 1 с на установку;
  • Точность* лучше чем 0.25%;
  • Воспроизводимость*: лучше 1 Å (1 σ из 50 измерений термически окисленного слоя SiO2 толщиной 1200 Å на подложке Si).

* - зависит от свойств пленки, качества поверхности и числа слоев.

  • Фотометрические измерения отражения и/или пропускания;
  • Микропятно для анализа малых участков поверхности;
  • Автоматический гониометр для изменения угла падения излучения;
  • Картографирующий стол с другими режимами и размерами;
  • Предметный стол с нагревом или охлаждением образца;
  • Расширение диапазона длин волн в DUV или IR диапазонах;
  • Установка сканирующего монохроматора;
  • Комбинация с микроспектрофотометром MSP для анализа структурированных образцов с функцией цифровой обработки изображения.
  • Производство полупроводников (PR, оксиды, нитриды);
  • Жидкокристаллические дисплеи;
  • Криминалистика, биологические пленки и материалы;
  • Исследование красителей, пигментов, минералогические исследования;
  • Фармацевтика, медицинское оборудование;
  • Оптические покрытия, TiO2, SiO2, Ta2O5...;
  • Полупроводниковые соединения;
  • Функциональные пленки для MEMS/MOEMS;
  • Аморфный, нано- и кристаллический кремний.
  • Различные ТСО пленки (ITO, FTO, IZO, AZO...).



VECOR 101 Duranzo Aisle, Irvine, CA92606, USA
Phone: +1-949-394-4466 * Fax: +1-949-451-6813 * E-mail: info@vecorus.com